安世半导体（Nexperia）新推出了五款高性能保护二极管，为交流耦合射频（AC-coupled RF）传输线提供了更优的保护，对抗静电放电、浪涌电流、以及短路。这种二极管（例如 PESD1V0C1BSF型和PESD1V0H1BSF型二极管）适于保护各种应用场景（包括蜂窝手机、便携式电子设备、通信系统以及计算机其他外设）中的USB4和闪电接口。

随着USB4和闪电接口的数据速率超过10GHz，静电放电保护必须在提供卓越射频性能的同时，有效保护敏感的集成电路对抗静电放电和浪涌电流，尤其是对抗不符合规范的USB Type-C接口的短路所引起的浪涌。

安世半导体高级产品经理Stefan Seider表示，“通过这种新型保护二极管，安世半导体为设计师提供了更灵活的选择，能够自由地适应特定的器件电路布局，实现最高级别的保护”。安世半导体还同时提供了射频和静电放电模拟模型，以优化对器件的选择。

这种新型二极管能够保护USB4和闪电接口对抗高达±18kV的静电放电，同时提供业界领先的抗电涌特性。二极管采用经过行业验证的小型无引线超低电感封装，二极管的超低器件电容（低至0.1pF）特性意味着其还具有极低的插入损耗，并且在40GHz以下不共振。

来源：electropages